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IXFT44N50Q3
IXFH44N50Q3
70
Fig. 7. Input Admittance
50
45
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
60
50
40
40
35
30
25
25oC
125oC
30
T J = 125oC
25oC
20
- 40oC
20
15
10
10
5
0
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
0
10
20
30
40
50
60
70
140
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
120
14
12
V DS = 250V
I D = 22A
I G = 10mA
100
10
80
8
60
T J = 125oC
6
40
20
0
T J = 25oC
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
10,000
1,000
100
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
1000
100
10
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
100μs
1
T J = 150oC
10
f = 1 MHz
Crss
0.1
T C = 25oC
Single Pulse
1ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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